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標準編號：GB/T 6616-2009半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻檢測方法 非接觸渦流法
標準狀態(tài)：現行
標準簡介：本標準規(guī)定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm~1mm 的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時,襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。
英文名稱： Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
替代情況： 替代GB/T 6616-1995
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
采標情況： SEMI MF673-1105 MOD
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1986-07-26
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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