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絕緣柵雙極晶體管(IGBT)檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)

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檢測(cè)項(xiàng)目(參考):

發(fā)射極—集電極的擊穿電壓V(BR)ECO、柵極—發(fā)射極的漏電流IGES、柵極閾電壓VGE(th)、正向跨導(dǎo)gm、集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CEO、集電極—發(fā)射極的飽和電壓VCEsat、零柵壓時(shí)的集電極電流ICES、關(guān)斷期間的各時(shí)間間隔和關(guān)斷能量、反向傳輸電容、開(kāi)通期間的各時(shí)間間隔和開(kāi)通能量、較大集電極峰值電流、較大集電極電流、柵極漏電流IGES、柵極電荷、柵極-發(fā)射極閾值電壓VGEth、輸入電容、輸出電容、集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CES、集電極截止電流ICES、集電極-發(fā)射極電壓、集電極-發(fā)射極短路時(shí)的柵極-發(fā)射極電壓、集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat、柵極-發(fā)射極閾值電壓、柵極漏電流、穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命、結(jié)-殼熱阻、間歇工作壽命(負(fù)載循環(huán))、集電極-發(fā)射極飽和電壓、集電極截止電流、高溫柵極偏置、高溫阻斷、集電極-發(fā)射極飽和電壓、柵極-發(fā)射極閾值電壓、較大反偏安全工作區(qū)、較大短路安全工作區(qū)1、較大短路安全工作區(qū)2、開(kāi)通期間的各時(shí)間間隔(td(on)、tr、ton)和開(kāi)通能量Eon、關(guān)斷期間的各時(shí)間間隔(td(off)、tf、toff、tz)和關(guān)斷能量Eoff、結(jié)-殼熱阻和結(jié)-殼瞬態(tài)熱阻抗、集電極-發(fā)射極擊穿電壓、發(fā)射極—集電極的擊穿電壓、柵極—發(fā)射極的漏電流、柵極閾電壓、集電極—發(fā)射極的擊穿電壓、集電極—發(fā)射極的飽和電壓、零柵壓時(shí)的集電極電流、正向跨導(dǎo)

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)一覽:

1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5

2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3

3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5

4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4

5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2

6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

7、GB/T 4587-1994 半導(dǎo)體器件分立器件 第7部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994

8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9

9、IEC 60749-5:2017 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第5部分:穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命試驗(yàn)

10、GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

11、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Ⅳ2

12、 GB/T 29332-201 半導(dǎo)體器件分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012

13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3

14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4

15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2

16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3

17、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994

18、 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012

19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12

20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11

檢測(cè)時(shí)間周期

一般3-10個(gè)工作日(特殊樣品除外),具體請(qǐng)咨詢客服。

檢測(cè)報(bào)告用途

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標(biāo)、高校科研等。

如果您對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)和安全性能有嚴(yán)格要求,不妨考慮選擇我們的檢測(cè)服務(wù)。讓我們助您一臂之力,共創(chuàng)美好未來(lái)。

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)平臺(tái)

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溫馨提示:以上內(nèi)容為部分列舉,僅供參考使用,更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。

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