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檢測(cè)項(xiàng)目(參考):
發(fā)射極—集電極的擊穿電壓V(BR)ECO、柵極—發(fā)射極的漏電流IGES、柵極閾電壓VGE(th)、正向跨導(dǎo)gm、集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CEO、集電極—發(fā)射極的飽和電壓VCEsat、零柵壓時(shí)的集電極電流ICES、關(guān)斷期間的各時(shí)間間隔和關(guān)斷能量、反向傳輸電容、開(kāi)通期間的各時(shí)間間隔和開(kāi)通能量、較大集電極峰值電流、較大集電極電流、柵極漏電流IGES、柵極電荷、柵極-發(fā)射極閾值電壓VGEth、輸入電容、輸出電容、集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CES、集電極截止電流ICES、集電極-發(fā)射極電壓、集電極-發(fā)射極短路時(shí)的柵極-發(fā)射極電壓、集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat、柵極-發(fā)射極閾值電壓、柵極漏電流、穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命、結(jié)-殼熱阻、間歇工作壽命(負(fù)載循環(huán))、集電極-發(fā)射極飽和電壓、集電極截止電流、高溫柵極偏置、高溫阻斷、集電極-發(fā)射極飽和電壓、柵極-發(fā)射極閾值電壓、較大反偏安全工作區(qū)、較大短路安全工作區(qū)1、較大短路安全工作區(qū)2、開(kāi)通期間的各時(shí)間間隔(td(on)、tr、ton)和開(kāi)通能量Eon、關(guān)斷期間的各時(shí)間間隔(td(off)、tf、toff、tz)和關(guān)斷能量Eoff、結(jié)-殼熱阻和結(jié)-殼瞬態(tài)熱阻抗、集電極-發(fā)射極擊穿電壓、發(fā)射極—集電極的擊穿電壓、柵極—發(fā)射極的漏電流、柵極閾電壓、集電極—發(fā)射極的擊穿電壓、集電極—發(fā)射極的飽和電壓、零柵壓時(shí)的集電極電流、正向跨導(dǎo)
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)一覽:
1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5
2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3
3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5
4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4
5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2
6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007
7、GB/T 4587-1994 半導(dǎo)體器件分立器件 第7部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994
8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9
9、IEC 60749-5:2017 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第5部分:穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命試驗(yàn)
10、GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
11、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Ⅳ2
12、 GB/T 29332-201 半導(dǎo)體器件分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012
13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3
14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4
15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2
16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3
17、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994
18、 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012
19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12
20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11
檢測(cè)時(shí)間周期
一般3-10個(gè)工作日(特殊樣品除外),具體請(qǐng)咨詢客服。
檢測(cè)報(bào)告用途
商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標(biāo)、高校科研等。
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檢測(cè)流程步驟
第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)平臺(tái)
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