紫外光半導(dǎo)體檢測報告如何辦理？檢測項目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些？百檢第三方檢測機構(gòu)，嚴(yán)格按照紫外光半導(dǎo)體檢測相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進行測試和評估。做檢測，找百檢。我們只做真實檢測。
涉及紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)有500條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，紫外光 半導(dǎo)體涉及到光學(xué)和光學(xué)測量、光電子學(xué)、激光設(shè)備、分析化學(xué)、集成電路、微電子學(xué)、陶瓷、半導(dǎo)體分立器件、航空航天用電氣設(shè)備和系統(tǒng)、半導(dǎo)體材料、醫(yī)療設(shè)備、無機化學(xué)、輻射防護、光纖通信、電子設(shè)備用機械構(gòu)件、整流器、轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓電源、化工產(chǎn)品、技術(shù)制圖、電子元器件綜合、密封件、密封裝置、農(nóng)業(yè)和林業(yè)、圖形符號、印制電路和印制電路板、詞匯、環(huán)境試驗、獸醫(yī)學(xué)、電線和電纜、工業(yè)自動化系統(tǒng)、物理學(xué)、化學(xué)、輻射測量、電子電信設(shè)備用機電元件、燃料。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，紫外光 半導(dǎo)體涉及到無機化工原料綜合、半導(dǎo)體發(fā)光器件、光電子器件綜合、激光器件、特種陶瓷、半導(dǎo)體光敏器件、機場地面服務(wù)系統(tǒng)及設(shè)備、半導(dǎo)體集成電路、其他、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、、無機鹽、輻射防護監(jiān)測與評價、微電路綜合、半導(dǎo)體三極管、電子技術(shù)專用材料、計算機應(yīng)用、技術(shù)管理、半導(dǎo)體分立器件綜合、光通信設(shè)備、電子設(shè)備機械結(jié)構(gòu)件、石油產(chǎn)品綜合、半導(dǎo)體二極管、微波、毫米波二、三極管、醫(yī)用超聲、激光、高頻儀器設(shè)備、其他日用品、電力半導(dǎo)體器件、部件、物理學(xué)與力學(xué)、醫(yī)用光學(xué)儀器設(shè)備與內(nèi)窺鏡、輻射防護與監(jiān)測綜合、電子光學(xué)與其他物理光學(xué)儀器、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、可靠性和可維護性、電纜及其附件、農(nóng)藥管理與使用方法、半導(dǎo)體整流器件、電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備綜合、太陽能、供氣器材設(shè)備、物質(zhì)成份分析儀器與環(huán)境監(jiān)測儀器綜合、電子設(shè)備用導(dǎo)線、電纜、載波通信設(shè)備、合成材料綜合、帶絕緣層電線、元素半導(dǎo)體材料、醫(yī)療器械。
法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
NF ISO 10677:2011技術(shù)陶瓷 用于測試半導(dǎo)體光催化材料的紫外光源
NF B44-103*NF ISO 10677:2011細(xì)瓷（高級陶瓷、高級工業(yè)陶瓷）測試半導(dǎo)體光催化材料所用的紫外光源
NF C96-045:1992半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分：半導(dǎo)體集成電路（混合電路除外）的分規(guī)范
NF C86-503:1986半導(dǎo)體器件.電子元器件統(tǒng)一質(zhì)量評審體系.光電晶體管、光電復(fù)合晶體管和光電半導(dǎo)體電路.空白詳細(xì)規(guī)范CESS 20 003
NF S11-698:1998眼科光學(xué).隱形眼鏡.暴露于紫外線和可見光輻射的老化現(xiàn)象(體外法)
NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020半導(dǎo)體設(shè)備 第 5-5 部分：光電設(shè)備 光電耦合器
NF EN IEC 60747-5-5:2020半導(dǎo)體器件 - 第 5-5 部分：光電器件 - 光電耦合器
NF C96-013-4/A2*NF EN 60191-4/A2:2003半導(dǎo)體裝置的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體裝置封裝外部形狀的分類和編碼系統(tǒng)
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2014半導(dǎo)體裝置的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體裝置封裝外部形狀的分類和編碼系統(tǒng)
NF EN 60191-6:2011半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制通用規(guī)則
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009光纖系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電器件 第2部分：測量方法
NF C96-013-4*NF EN 60191-4:2000半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件包封裝外形的編碼系統(tǒng)和分類形式
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2002半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件包封裝外形的編碼系統(tǒng)和分類形式
NF C96-013-6*NF EN 60191-6:2011半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn) 第6部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝的外形圖準(zhǔn)備的一般規(guī)則
NF C96-013-4/A1*NF EN 60191-4/A1:2018半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分：編碼系統(tǒng)和半導(dǎo)體器件封裝封裝外形形式的分類
NF EN 17178:2019液體石油產(chǎn)品 紫外熒光光譜法測定液化石油氣中揮發(fā)性硫含量
NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015半導(dǎo)體設(shè)備 分離式設(shè)備 第5-5部分：光電設(shè)備 光耦合器
NF C96-005-5*NF EN 60747-5-5:2012半導(dǎo)體器件 分立元件 第5-5部分：光電器件 光電耦合器
NF EN 62007-2:2009光纖系統(tǒng)中應(yīng)用的半導(dǎo)體光電器件 - 第 2 部分：測量方法
XP CEN/TS 16599:2014光催化 確定照射條件以測試半導(dǎo)體材料的光催化性能
國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 37131-2018納米技術(shù)半導(dǎo)體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法
GB/T 7092-2021半導(dǎo)體集成電路外形尺寸
GB/T 15879.4-2019半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化第4部分：半導(dǎo)體器件封裝外形的分類和編碼體系
GB/T 36358-2018半導(dǎo)體光電子器件 功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
GB/T 39771.2-2021半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第2部分：測試方法
GB/T 21548-2021光通信用高速直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器的測量方法
GB/T 36646-2018制備氮化物半導(dǎo)體材料用氫化物氣相外延設(shè)備
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
SJ/T 11818.1-2022半導(dǎo)體紫外發(fā)射二極管 第1部分：測試方法
SJ/T 11818.2-2022半導(dǎo)體紫外發(fā)射二極管 第2部分：芯片規(guī)范
SJ/T 11818.3-2022半導(dǎo)體紫外發(fā)射二極管 第3部分：器件規(guī)范
SJ 2684-1986半導(dǎo)體發(fā)光(可見光)器件外形尺寸
SJ 2247-1982半導(dǎo)體光電子器件外形尺寸
SJ 2750-1987半導(dǎo)體激光二極管外形尺寸
SJ 2658.1-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.總則
SJ 20744-1999半導(dǎo)體材料雜質(zhì)含量紅外吸收光譜分析通用導(dǎo)則
SJ 50033/109-1996半導(dǎo)體光電子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半導(dǎo)體激光二極管.詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11397-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管用熒光粉
SJ 20642-1997半導(dǎo)體光電模塊總規(guī)范
SJ 20786-2000半導(dǎo)體光電組件總規(guī)范
SJ 2218-1982半導(dǎo)體光敏二極管型光耦合器
SJ 2219-1982半導(dǎo)體光敏三極管型光耦合器
SJ 2658.6-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.輸出光功率的測試方法
SJ 20072-1992半導(dǎo)體分立器件.GH24、GH25和GH26型半導(dǎo)體光耦合器.詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/110-1996半導(dǎo)體光電子器件GR9413型紅外發(fā)射二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 53930/1-2002半導(dǎo)體光電子器件.GR8813型紅外發(fā)射二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 2658.4-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.電容的測試方法
SJ 2658.12-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.峰值發(fā)射波長和光譜半寬度的測試方法
SJ 2220-1982半導(dǎo)體達(dá)林頓型光耦合器
SJ 2558-1984SM1～18型半導(dǎo)體發(fā)光數(shù)碼管
SJ 2658.2-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.正向壓降測試方法
SJ 2658.3-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.反向電壓測試方法
SJ/T 2215-2015半導(dǎo)體光電耦合器測試方法
SJ 2749-1987半導(dǎo)體激光二極管測試方法
SJ 2214.1-1982半導(dǎo)體光敏管測試方法總則
SJ/T 11394-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管測試方法
SJ/T 2214-2015半導(dǎo)體光電二極管和光電晶體管測試方法
SJ 2658.7-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.輻射通量的測試方法
SJ 2658.10-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.調(diào)制寬帶的測試方法
SJ/T 11856.3-2022光纖通信用半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)規(guī)范 第3部分：光源用電吸收調(diào)制型半導(dǎo)體激光器芯片
SJ 2355.1-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.總則
SJ 2215.1-1982半導(dǎo)體光耦合器測試方法總則
SJ/T 11856.2-2022光纖通信用半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)規(guī)范 第2部分：光源用垂直腔面發(fā)射型半導(dǎo)體激光器芯片
SJ 2658.13-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.輸出光功率溫度系數(shù)的測試方法
SJ/T 2658.16-2016半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測量方法 第16部分:光電轉(zhuǎn)換效率
SJ 50923/2-1995G2-01B-M1型和G2-01B-Z1型半導(dǎo)體光敏器件金屬外殼詳細(xì)規(guī)范
SJ 2658.8-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.法向輻射率的測試方法
SJ 50033.40-1994GT11型半導(dǎo)體硅NPN光敏晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/4-1994半導(dǎo)體分立器件.GP和GT級GF 111型半導(dǎo)體紅色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/6-1994半導(dǎo)體分立器件.GP和GT級GF 411型半導(dǎo)體綠色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/5-1994半導(dǎo)體分立器件.GP和GT級GF 311型半導(dǎo)體黃色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/3-1994半導(dǎo)體分立器件.GP、GT和GCT級GH21、GH22和GH23型半導(dǎo)體光耦合器詳細(xì)規(guī)范
SJ 2214.10-1982半導(dǎo)體光敏二、三極管光電流的測試方法
SJ 20642.5-1998半導(dǎo)體光電模塊GH82型光耦合器詳細(xì)規(guī)范
SJ 20642.4-1998半導(dǎo)體光電模塊GH81型光耦合器詳細(xì)規(guī)范
SJ 20642.6-1998半導(dǎo)體光電模塊GH83型光耦合器詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11402-2009光纖通信用半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)規(guī)范
SJ 2658.5-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.正向串聯(lián)電阻的測試方法
SJ 2658.11-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.脈沖響應(yīng)特性的測試方法
SJ 50923/1-1995A6-02A-M2(Z2)和A6-01B-M1(Z1) 型半導(dǎo)體光耦合器金屬外殼詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11399-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測試方法
SJ/T 11401-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管產(chǎn)品系列型譜
SJ 50033/111-1996半導(dǎo)體光電子器件GTI6型硅NPN光電晶體管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/41-1994GR9414型半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 2658.9-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.輻射強度空間分布和半強度角的測試方法
SJ/T 11067-1996紅外探測材料中半導(dǎo)體光電材料和熱釋電材料常用名詞術(shù)語
SJ 2355.5-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.法向光強和半強度角的測試方法
SJ/Z 3206.13-1989半導(dǎo)體材料發(fā)射光譜分析方法通則
SJ 50033/101-1995GJ1325半導(dǎo)體激光二極管組件詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/35-1994GH30型半導(dǎo)體高速光耦合器詳細(xì)規(guī)范
SJ 2355.7-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.發(fā)光峰值波長和光譜半寬度的測試方法
SJ/Z 9021.4-1987半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分：半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分以及編號體系
SJ/T 10308-1992半導(dǎo)體集成電路陶瓷扁平外殼詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 10176-1991半導(dǎo)體集成電路金屬菱形外殼詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11856.1-2022光纖通信用半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)規(guī)范 第1部分：光源用法布里-泊羅型及分布式反饋型半導(dǎo)體激光器芯片
SJ 50033/112-1996半導(dǎo)體光電子器件.GD3251Y型光電二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 2355.6-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.光通量的測試方法
SJ 50033/113-1996半導(dǎo)體光電子器件.GD3252Y型光電二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 2214.3-1982半導(dǎo)體光敏二極管暗電流的測試方法
SJ 2214.5-1982半導(dǎo)體光敏二極管結(jié)電容的測試方法
SJ 2214.8-1982半導(dǎo)體光敏三極管暗電流的測試方法
SJ/T 11398-2009功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
SJ 20642.3-1998半導(dǎo)體光電模塊GD83型PIN-FET光接收模塊詳細(xì)規(guī)范
SJ 20644.1-2001半導(dǎo)體光電子器件GD3550Y型PIN光電二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 20644.2-2001半導(dǎo)體光電子器件GD101型PIN光電二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 20642.2-1998半導(dǎo)體光電模塊GD82型PIN-FET光接收模塊詳細(xì)規(guī)范
SJ 2214.2-1982半導(dǎo)體光敏二極管正向壓降的測試方法
SJ 2214.7-1982半導(dǎo)體光敏三極管飽和壓降的測試方法
SJ 20957-2006大功率半導(dǎo)體激光二級管陣列通用規(guī)范
SJ 20786.1-2002半導(dǎo)體光電組件.CBGS2301微型雙向光電定位器.詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/136-1997半導(dǎo)體光電子器件.GF116型紅色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/143-1999半導(dǎo)體光電子器件.GF1120型紅色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/137-1997半導(dǎo)體光電子器件.GF216型橙色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 20642.1-1998半導(dǎo)體光電模塊GD81型DIN-FET光接收模塊詳細(xì)總規(guī)范
SJ/T 11405-2009光纖系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電子器件.第2部分:測量方法
SJ 50033/139-1998半導(dǎo)體光電子器件.GF4111型綠色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/138-1998半導(dǎo)體光電子器件.GF318型黃色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/58-1995半導(dǎo)體光電子器件GF413型綠色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11393-2009半導(dǎo)體光電子器件功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/142-1999半導(dǎo)體光電子器件.GF4112型綠色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 50033/57-1995半導(dǎo)體光電子器件 GF115型紅色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 10307-1992半導(dǎo)體集成電路陶瓷熔封扁平外殼詳細(xì)規(guī)范
SJ 2757-1987重?fù)桨雽?dǎo)體載流子濃度的紅外反射測試方法
SJ 51420/1-1996半導(dǎo)體集成電路D型陶瓷雙列外殼詳細(xì)規(guī)范
SJ 51420/2-1998半導(dǎo)體集成電路F型陶瓷扁平外殼詳細(xì)規(guī)范
SJ 51420/3-2003半導(dǎo)體集成電路陶瓷針柵陣列外殼.詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11866-2022半導(dǎo)體光電子器件 硅襯底白光功率發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11400-2009半導(dǎo)體光電子器件小功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
SJ 2215.6-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）結(jié)電容的測試方法
SJ 2215.8-1982半導(dǎo)體光耦合器輸出飽和壓降的測試方法
SJ/T 2658.1-2015半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測量方法 第1部分:總則
SJ 20074-1992半導(dǎo)體集成電路Jμ8305A型可編程外設(shè)接口詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 2658.12-2015半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測量方法 第12部分:峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬
SJ 50033/99-1995半導(dǎo)體光電子器件.GF511型橙/綠雙色發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范
SJ 20642.7-2000半導(dǎo)體光電器件GR1325J型長波長發(fā)光二極管組件詳細(xì)規(guī)范
SJ/T 11817-2022半導(dǎo)體光電子器件 燈絲燈用發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
SJ 2215.14-1982半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣耐壓的測試方法
SJ 2215.3-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）正向電流的測試方法
SJ 2214.4-1982半導(dǎo)體光敏二極管反向擊穿電壓的測試方法
SJ 2215.4-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）反向電流的測試方法
SJ 2215.10-1982半導(dǎo)體光耦合器直流電流傳輸比的測試方法
SJ 2215.12-1982半導(dǎo)體光耦合器入出間隔離電容的測試方法
SJ 50033/114-1996半導(dǎo)體光電子器件.GD3283Y型位敏探測器詳細(xì)規(guī)范
SJ 2215.2-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）正向壓降的測試方法
韓國科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
KS D 2717-2008(2018)紫外-可見-近紅外吸收光譜法評價單壁碳納米管煙灰的金屬/半導(dǎo)體比
KS C 6942-1999光纖傳輸用半導(dǎo)體激光模塊通則
KS C 6943-1999光纖傳輸用半導(dǎo)體激光模塊測定方法
KS C IEC 60748-11:2004半導(dǎo)體器件.集成電路.第11部分:半導(dǎo)體集成電路(混合電路除外)的分規(guī)范
KS C IEC 60748-2-9:2002半導(dǎo)體器件.集成電路.第2部分:數(shù)字集成電路.第9節(jié):MOS超紫外光可刪除可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017)半導(dǎo)體器件集成電路第2部分:數(shù)字集成電路第9節(jié):MOS紫外光可擦除電可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022)半導(dǎo)體器件集成電路第2部分:數(shù)字集成電路第9節(jié):MOS紫外光可擦除電可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范
KS C IEC 62007-2:2003光纖系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電器件.第2部分:測量方法
KS C IEC 60748-11-1:2004半導(dǎo)體器件.集成電路.第11部分第1節(jié):半導(dǎo)體集成電路(混合電路除外)內(nèi)部目視檢查
KS C IEC 60747-5:2020半導(dǎo)體器件分立器件第5部分:光電器件
KS C IEC PAS 62240-2008(2018)在制造商規(guī)定的溫度范圍外使用半導(dǎo)體器件
KS C IEC 62007-2-2003(2018)光纖系統(tǒng)應(yīng)用的半導(dǎo)體光電器件 - 第2部分:測量方法
KR-KS，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
KS L ISO 10677-2023精細(xì)陶瓷（高級陶瓷、高級工藝陶瓷）半導(dǎo)體光催化材料測試用紫外光源
KS C IEC 60747-5-2020半導(dǎo)體器件分立器件第5部分:光電器件
英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
BS ISO 10677:2011精細(xì)陶瓷(高級陶瓷,高級技術(shù)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料測試用紫外光源
BS IEC 60747-5-4:2022半導(dǎo)體器件-光電器件 半導(dǎo)體激光器
BS IEC 60747-5-4:2006半導(dǎo)體器件.分立器件.光電器件.半導(dǎo)體激光器
BS IEC 60747-14-11:2021半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體傳感器 基于聲表面波的紫外、照度和溫度測量集成傳感器的測試方法
19/30404095 DCBS EN IEC 60747-5-4 半導(dǎo)體器件 第5-4部分 光電器件 半導(dǎo)體激光器
23/30473272 DCBS IEC 60747-5-4 AMD 1. 半導(dǎo)體器件 第 5-4 部分 光電器件 半導(dǎo)體激光器
19/30390371 DCBS IEC 60747-14-11 半導(dǎo)體器件 第14-11部分 半導(dǎo)體傳感器 一種基于聲表面波的紫外、照度、溫度測量一體化傳感器的測試方法
18/30362458 DCBS IEC 60747-14-11 半導(dǎo)體器件 第14-11部分 半導(dǎo)體傳感器 一種基于聲表面波的紫外、照度、溫度測量一體化傳感器的測試方法
BS EN IEC 60747-5-5:2020半導(dǎo)體器件 光電器件 光電耦合器
BS IEC 60748-11:2000半導(dǎo)體器件.集成電路.半導(dǎo)體集成電路(混合電路除外)的分規(guī)范
BS IEC 60748-11:1991半導(dǎo)體器件 集成電路 半導(dǎo)體集成電路（混合電路除外）的分規(guī)范
BS EN 62007-2:2000光纖系統(tǒng)半導(dǎo)體光電器件.測量方法
BS EN ISO 11985:1998眼科光學(xué).接觸鏡.暴露于紫外線和可見光輻射的老化(體外法)
BS EN 62007-2:2009光纖系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電器件.測量方法
PD IEC TR 61292-9:2023跟蹤更改 光放大器 半導(dǎo)體光放大器(SOA)
BS EN 60191-4:2014半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化. 半導(dǎo)體器件包封裝外形的編碼系統(tǒng)和分類形式
BS EN 60191-4:2014+A1:2018半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化 半導(dǎo)體器件封裝的編碼系統(tǒng)和封裝外形形式分類
BS ISO 17915:2018光學(xué)和光子學(xué) 傳感用半導(dǎo)體激光器的測量方法
BS EN 60747-5-5:2011半導(dǎo)體器件.分立器件.光電器件.光電耦合器
BS EN 60191-6:2010半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則
BS EN 60191-6:2005半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則
BS EN 60191-6:2004半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則
BS EN 60191-6:2009半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則
BS EN 62007-1:2000光纖系統(tǒng)半導(dǎo)體光電器件.基本額定值及特性
BS QC 790106:1995電子元件質(zhì)量評估協(xié)調(diào)制度規(guī)范 半導(dǎo)體器件 集成電路 數(shù)字集成電路 空白詳細(xì)規(guī)范 MOS紫外光可擦電可編程只讀
BS IEC 60747-18-4:2023半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體生物傳感器 無透鏡CMOS光子陣列傳感器噪聲特性評估方法
BS EN 60191-6-18:2010半導(dǎo)體設(shè)備的機械標(biāo)準(zhǔn)化.平面式安裝半導(dǎo)體器件外殼外形圖繪制的一般規(guī)則.球柵陣列(BGA)用設(shè)計指南
BS IEC 60747-18-2:2020半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體生物傳感器 無透鏡 CMOS 光子陣列傳感器封裝模塊的評估流程
BS IEC 60747-18-5:2023半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體生物傳感器 通過光入射角評估無透鏡CMOS光子陣列傳感器封裝模塊的光響應(yīng)特性的方法
BS EN 61207-7:2014氣體分析儀性能表示. 可調(diào)半導(dǎo)體激光器氣體分析儀
BS EN 61207-7:2013氣體分析器性能表示. 可調(diào)諧半導(dǎo)體激光氣體分析器
BS EN 60191-6-21:2010半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則.小外形封裝(SOP)尺寸的測量方法
PD IEC TR 60747-5-12:2021半導(dǎo)體器件 光電器件 發(fā)光二極管 LED效率測試方法
BS PD ISO/TS 17466:2015在鎘硫膠體量子點表征中使用紫外-可見吸收光譜法
PD ISO/TS 17466:2015使用紫外-可見吸收光譜表征鎘硫族化物膠體量子點
BS EN 60191-6-10:2003半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則.P-VSON的尺寸
BS IEC 60747-5-1:1998分立半導(dǎo)體器件和集成電路.光電器件.概述
BS EN 60747-5-1:1998半導(dǎo)體分立器件和集成電路 光電器件 總則
BS EN 60747-5-1:2001半導(dǎo)體分立器件和集成電路.光電器件.總則
BS EN 14255-4:2006暴露在非相干光輻射中人體的測量和評估.紫外光、可見光和紅外輻射測量用術(shù)語和程度
PD IEC/PAS 62240:2001制造商規(guī)定溫度范圍以外的半導(dǎo)體器件的使用
BS EN 60749-3:2017半導(dǎo)體器件 機械和氣候測試方法 外部目視檢查
BS IEC 63229:2021半導(dǎo)體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類
BS IEC 60747-18-3:2019半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體生物傳感器 具有流體系統(tǒng)的無透鏡 CMOS 光子陣列傳感器封裝模塊的流體流動特性
BS IEC 60747-18-1:2019半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體生物傳感器 無透鏡CMOS光子陣列傳感器校準(zhǔn)的測試方法和數(shù)據(jù)分析
BS IEC 63068-3:2020半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷無損識別標(biāo)準(zhǔn)光致發(fā)光缺陷測試方法
BS EN 17178:2019液體石油產(chǎn)品 紫外熒光光譜法測定液化石油氣中總揮發(fā)性硫含量
國家*用標(biāo)準(zhǔn)-總裝備部，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
GJB 33/15-2011半導(dǎo)體光電子器件 BT401型半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管詳細(xì)規(guī)范
GJB 8190-2015飛機外部照明用半導(dǎo)體固體光源通用規(guī)范
GJB 33/16-2011半導(dǎo)體光電子器件3DU32型半導(dǎo)體光敏晶體管詳細(xì)規(guī)范
GJB 33/17-2011半導(dǎo)體光電子器件 GO11型半導(dǎo)體光電耦合器詳細(xì)規(guī)范
GJB/Z 41.3-1993*用半導(dǎo)體分立器件系列型譜半導(dǎo)體光電子器件
GJB 33/18-2011半導(dǎo)體光電子器件 GO417型雙向半導(dǎo)體光電耦合模擬開關(guān)詳細(xì)規(guī)范
GJB 1420A-1999半導(dǎo)體集成電路外殼總規(guī)范
GJB 8121-2013半導(dǎo)體光電組件通用規(guī)范
GJB 8120-2013半導(dǎo)體光電模塊通用規(guī)范
GJB 3519-1999半導(dǎo)體激光二極管總規(guī)范
GJB 1420B-2011半導(dǎo)體集成電路外殼通用規(guī)范
GJB 923A-2004半導(dǎo)體分立器件外殼通用規(guī)范
GJB 923B-2021半導(dǎo)體分立器件外殼通用規(guī)范
GJB 8119-2013半導(dǎo)體光電子器件通用規(guī)范
GJB 2146A-2011半導(dǎo)體發(fā)光二極管器件通用規(guī)范
GJB 1934-1994皺紋外導(dǎo)體半硬同軸射頻電纜總規(guī)范
GJB 1557A-2021半導(dǎo)體分立器件 微波二極管外形尺寸
GJB 1557-1992半導(dǎo)體分立器件微波二級管外形尺寸
GJB 1934A-2009皺紋外導(dǎo)體半硬射頻同軸電纜通用規(guī)范
GJB 1420/1-2000半導(dǎo)體集成電路陶瓷雙列外殼詳細(xì)規(guī)范
GJB 33/20-2011半導(dǎo)體光電子器件 GH302型光電耦合器詳細(xì)規(guī)范
GJB 33/22-2011半導(dǎo)體光電子器件 GO103型光電耦合器詳細(xì)規(guī)范
GJB 1420B-2011(XG1-2015)半導(dǎo)體集成電路外殼通用規(guī)范 修改單1-2015
GJB 33/21-2011半導(dǎo)體光電子器件 GD310A系列光電耦合器詳細(xì)規(guī)范
GJB 33/23-2011半導(dǎo)體光電子器件 GH3201Z-4型光電耦合器詳細(xì)規(guī)范
GJB 33/19-2011半導(dǎo)體光電子器件GH302-4型光電耦合器詳細(xì)規(guī)范
GJB 5018-2001半導(dǎo)體光電子器件篩選與驗收通用要求
美國機動車工程師協(xié)會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
SAE AIR5468-2000標(biāo)記飛機導(dǎo)線用紫外線激光器
國際電工委員會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
IEC 60747-5-4:2022半導(dǎo)體器件第5-4部分:光電子器件半導(dǎo)體激光器
IEC 60747-5-4:2006半導(dǎo)體器件.分立器件.第5-4部分:光電器件.半導(dǎo)體激光器
IEC 60747-14-11:2021半導(dǎo)體器件 第 14-11 部分：半導(dǎo)體傳感器 用于測量紫外線、照度和溫度的基于表面聲波的集成傳感器的測試方法
IEC TR 61292-9:2013光放大器第9部分:半導(dǎo)體光放大器
IEC TR 61292-9:2023 RLV光放大器.第9部分:半導(dǎo)體光放大器（SOA）
IEC TR 61292-9:2023光放大器.第9部分:半導(dǎo)體光放大器（SOA）
IEC 60191-4:2013+AMD1:2018 CSV半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形的編碼系統(tǒng)和分類
IEC 60747-5-7:2016半導(dǎo)體設(shè)備. 第5-7部分: 光電設(shè)備. 光電二極管和光電晶體管
IEC 60747-5-6:2016半導(dǎo)體設(shè)備. 第5-6部分: 光電設(shè)備. 發(fā)光二極管
IEC 60747-5-6:2021半導(dǎo)體設(shè)備. 第5-6部分: 光電設(shè)備. 發(fā)光二極管
IEC 60191-4:2002半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外殼形式的分類和編碼系統(tǒng)
IEC 60191-4:1987半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外殼形式的分類和編碼系統(tǒng)
IEC 62007-2:1997光纖系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電器件.第2部分:測量方法
IEC 60747-5-6:2021 RLV半導(dǎo)體器件第5-6部分:光電子器件發(fā)光二極管
IEC 60747-5-5:2020半導(dǎo)體器件第5-5部分:光電子器件光電耦合器
IEC 60191-4:1999半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分和編號系統(tǒng)
IEC 60191-4:2013半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分和編號系統(tǒng)
IEC 60191-4:2018半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分和編號系統(tǒng)
IEC 60191-6:1990半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6部分:表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則
IEC 60191-6:2004半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第6部分:表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則
IEC 60191-6:2009半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第6部分:表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則
IEC PAS 62240:2001制造商規(guī)定溫度范圍外的半導(dǎo)體器件的使用
IEC 60191-4/AMD1:2001半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分和編號系統(tǒng)修改1
IEC 60191-4/AMD2:2002半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外殼形式的分類和編碼系統(tǒng).修改件2
IEC 62007-2:1999纖維光學(xué)系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電器件 第2部分:測量方法
IEC 60747-18-2:2020半導(dǎo)體器件.第18-2部分:半導(dǎo)體生物傳感器.無透鏡CMOS光子陣列傳感器組件的評估過程
IEC 60191-6/AMD1:1999半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6部分:繪制表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖的一般規(guī)則 修改1
IEC 60191-4:2013/AMD1:2018半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分和編號系統(tǒng).修改件1
IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013半導(dǎo)體器件.分立器件.第5-5部分:光電器件.光電耦合器
IEC 60747-5-5:2013半導(dǎo)體器件.分立器件.第5-5部分:光電器件.光電耦合器
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 15167-1994半導(dǎo)體激光光源總規(guī)范
GB/T 31358-2015半導(dǎo)體激光器總規(guī)范
GB/T 29856-2013半導(dǎo)體性單壁碳納米管的近紅外光致發(fā)光光譜表征方法
GB 15651.4-2017半導(dǎo)體器件 分立器件 第5-4部分:光電子器件 半導(dǎo)體激光器
GB/T 7092-1993半導(dǎo)體集成電路外形尺寸
GB/T 7581-1987半導(dǎo)體分立器件外形尺寸
GB/T 31359-2015半導(dǎo)體激光器測試方法
GB/T 17574.9-2006半導(dǎo)體器件.集成電路.第2-9部分:數(shù)字集成電路.紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范
GB 12565-1990半導(dǎo)體器件 光電子器件分規(guī)范
GB/T 11417.9-2012眼科光學(xué).接觸鏡.第9部分：紫外和可見光輻射老化試驗（體外法）
GB/T 11493-1989半導(dǎo)體集成電路外殼空白詳細(xì)規(guī)范
GB/T 15529-1995半導(dǎo)體發(fā)光數(shù)碼管空白詳細(xì)規(guī)范
GB/T 15649-1995半導(dǎo)體激光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
GB/T 29299-2012半導(dǎo)體激光測距儀通用技術(shù)條件
GB/T 36356-2018功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
GB/T 15878-2015半導(dǎo)體集成電路小外形封裝引線框架規(guī)范
GB/T 15651.6-2023半導(dǎo)體器件 第5-6部分：光電子器件發(fā)光二極管
GB/T 36357-2018中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
GB/T 21548-2008光通信用高速直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器的測量方法
GB/T 14862-1993半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測試方法
GB/T 24370-2009硒化鎘量子點納米晶體表征.紫外-可見吸收光譜方法
GB/T 36359-2018半導(dǎo)體光電子器件小功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
GB/T 36360-2018半導(dǎo)體光電子器件中功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
GB/T 12565-1990半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 (可供認(rèn)證用)
中國團體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
T/CASME 698-2023半導(dǎo)體激光治療儀
T/JGXH 008-2020全固態(tài)半導(dǎo)體激光器
T/QGCML 1407-2023半導(dǎo)體光伏制造用雙套管密封裝置
T/CZSBDTHYXH 001-2023半導(dǎo)體晶圓缺陷自動光學(xué)檢測設(shè)備
T/NAIA 0193-2023單鏈抗體真核表達(dá)質(zhì)粒DNA 濃度與純度的測定 紫外分光光度法
吉林省地方標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
DB22/T 2725-2017980 nm光纖光柵半導(dǎo)體激光器
RU-GOST R，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
GOST 24458-1980半導(dǎo)體光偶.基本參數(shù)
GOST R 50471-1993半導(dǎo)體光電發(fā)射體.半值角的測量方法
GOST 23900-1987電力半導(dǎo)體器件.外形和連接尺寸
GOST 23448-1979半導(dǎo)體紅外線輻射二極管.基本尺寸
GOST 27591-1988電力半導(dǎo)體組件.外形尺寸和連接尺寸
GOST 19834.4-1979紅外輻射半導(dǎo)體二極管.輻射功率測量方法
GOST 27299-1987半導(dǎo)體光電子器體.術(shù)語、定義和參數(shù)的字母代號
GOST R 59605-2021光學(xué)和光子學(xué) 半導(dǎo)體光電探測器 光電和光接收器件 術(shù)語和定義
GOST 17704-1972半導(dǎo)體器件.光電式輻射能接收器.分類和代號體系
GOST 21934-1983半導(dǎo)體光電式和光接收輻射接收機式裝置.術(shù)語和定義
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 15651.4-2017半導(dǎo)體器件 分立器件第5-4部分:光電子器件半導(dǎo)體激光器
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-核工業(yè)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
EJ/T 296.2-2014尿中微量鈾的測定紫外光液體熒光法
EJ/T 20057-2014大氣沉降物中鈾濃度測定紫外液體熒光法
國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
ISO 10677:2011精細(xì)陶瓷(高級陶瓷,高級工業(yè)陶瓷).檢測半導(dǎo)光催化材料用紫外線源
ISO/TS 17915:2013光學(xué)和光電.傳感用半導(dǎo)體激光器測量方法
ISO 17915:2018光學(xué)和光子學(xué).傳感用半導(dǎo)體激光器測量方法
ISO/TS 17466:2015在鎘硫膠體量子點表征中使用紫外-可見吸收光譜法
機械工業(yè)部，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
JB/T 6306-1992電力半導(dǎo)體模塊外形尺寸
福建省地方標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
DB35/T 1193-2011半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片
美國國防后勤局，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
DLA SMD-5962-88635 REV A-1993紫外線擦除可編程邏輯器件互補型金屬氧化物半導(dǎo)體數(shù)字微電路
DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999半導(dǎo)體裝置,NPN硅光晶體管,類型2N986
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007硅單片,紫外線可擦除可程序化邏輯陣列,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992硅單片互補型金屬氧化物半導(dǎo)體紫外線擦除可編程邏輯器件數(shù)字微電路
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007硅單片,紫外線可消除可程序化邏輯設(shè)置,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006硅單塊 互補金屬氧化物半導(dǎo)體紫外可編程邏輯陣列,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-91772-1993硅單塊 互補金屬氧化物半導(dǎo)體,紫外可擦拭邏輯陣列,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-93248-1993硅單片,電壓紫外線可擦除可編程邏輯陣列,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992硅單片互補型金屬氧化物半導(dǎo)體紫外線擦除可編程邏輯器件數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005硅單片紫外線擦除可編程邏輯陣列互補型金屬氧化物半導(dǎo)體數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007硅單片可編程邏輯陣列互補型金屬氧化物半導(dǎo)體紫外線擦除數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007硅單片可編程邏輯陣列互補型金屬氧化物半導(dǎo)體紫外線擦除數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005硅單塊 8KX8紫外可擦除可程序化只讀存儲器,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-91584-1992硅單塊 紫外可擦拭編程邏輯陣列,互補金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007硅單塊 紫外擦拭可編程邏輯設(shè)備,互補金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007硅單片紫外線擦寫的可編程邏輯陣列互補型金屬氧化物半導(dǎo)體數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994硅單片紫外線擦寫的可編程邏輯設(shè)備互補型金屬氧化物半導(dǎo)體數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-89476-1992硅單片紫外線擦寫的可編程邏輯設(shè)備互補型金屬氧化物半導(dǎo)體數(shù)字存儲微電路
DLA SMD-5962-93245-1993硅單片,擴展電壓紫外線可擦除可編程邏輯陣列,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007硅單片,32K X 8紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006硅單片,4K X 8紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006硅單塊 144比特(32KX8)紫外可擦拭程序262互補金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字主存儲器微型電路
DLA MIL-PRF-19500/467 A-20081N5765 JAN和TX型發(fā)光二極管半導(dǎo)體裝置
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006硅單塊64K X8紫外線消除式可程序化只讀存儲器,,互補金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字微型電路
DLA QPL-28830-QPD-2011電纜，射頻，同軸，半剛性，波紋外導(dǎo)體，通用規(guī)范
DLA QPL-28830-2013電纜，射頻，同軸，半剛性，波紋外導(dǎo)體，通用規(guī)范
DLA SMD-5962-86805 REV F-2006硅單塊 互補金屬氧化物半導(dǎo)體64X 16比特紫外線擴展可編程序只讀存儲器,數(shù)字主體存儲器微型電路
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003硅單片,128K X 8位紫外線消除式可程序化只讀存儲器,高速氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007硅單片,2K X 8寄存的紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA SMD-5962-93122-1993硅單片,2K X 16狀態(tài)機紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字記憶微型電路
DLA MIL-DTL-28830 D-2005波紋外導(dǎo)體半剛性同軸射頻電纜的一般規(guī)定
DLA QPL-28830-13 NOTICE 1-2008瓦楞外導(dǎo)體半剛性同軸射頻電纜的通用規(guī)范
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006硅單塊 2K X8注冊的紫外線消除式可程序化只讀存儲器,互補金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字微型電路
DLA QPL-28830-13-2007波紋外導(dǎo)體半剛性無線射頻同軸電纜一般規(guī)格
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992硅單塊 互補金屬氧化物半導(dǎo)體紫外可擦去同步記名的可編程序邏輯設(shè)備,數(shù)字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007硅單片8K X 8位紫外線消除式可程序化只讀存儲器互補型金屬氧化物半導(dǎo)體數(shù)字存儲微電路
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-機械，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
JB/T 5631-1991半導(dǎo)體器件外延爐 能耗標(biāo)準(zhǔn)
JB/T 8175-1999電力半導(dǎo)體器件用型材散熱體.外形尺寸
IN-BIS，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
IS 5000 OD.15-1973半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD15
IS 5000 OD.16-1973半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD16
IS 5000 OD.30-1981半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD30
IS 5000 OB.1-1969半導(dǎo)體器件基本外形尺寸 OB1
IS 5000 OB.5-1969半導(dǎo)體器件基本外形尺寸 OB5
IS 5000 OB.2-1969半導(dǎo)體器件基本外形尺寸 OB2
IS 5000 OB.6-1969半導(dǎo)體器件基本外形尺寸 OB6
IS 5000 OB.7-1969半導(dǎo)體器件基本外形尺寸 OB7
IS 5000 OB.4-1969半導(dǎo)體器件基本外形尺寸 OB4
IS 5000 OD.4-1969半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD4
IS 5000 OD.7-1969半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD7
IS 5000 OD.9-1969半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD9
IS 5000 OD.1-1969半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD1
IS 5000 OD.6-1969半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD6
IS 5000 OD.2-1969半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD2
IS 5000 OD.5-1969半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD5
IS 5000 OD.8-1969半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD8
IS 5000 OD.31-1981半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD31
IS 5000 OD.13-1971半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD13
IS 5000 OD.19-1974半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD19
IS 5000 OD.12-1971半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD12
IS 5000 OD.18-1974半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD18
IS 5000 OD.14-1971半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD14
IS 5000 OD.33-1981半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD33
IS 5000 OD.10-1971半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD1O
IS 5000 OD.17-1974半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD17
IS 5000 OD.35-1981半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD35
IS 5000 OD.11-1971半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD11
IS 5000 OD.21-1979半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 21
IS 5000 OD.23-1978半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 23
IS 5000 OD.28-1978半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 28
IS 5000 OD.20-1978半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 20
IS 5000 OD.26-1978半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 26
IS 5000 OD.27-1978半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 27
IS 5000 OD.22-1978半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 22
IS 5000 OD.25-1978半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 25
IS 5000 OD.24-1979半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 24
IS 5000 OD.29-1979半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形 OD 29
IS 5000 OD.36-1981半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形圖 36
IS 5000 OD.37-1982半導(dǎo)體器件尺寸 器件外形尺寸 OD 37
IS 12737-1988半導(dǎo)體 X 射線能量光譜儀的標(biāo)準(zhǔn)測試程序
地方標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
CNS 13805-1997光電半導(dǎo)體晶圓之光激光譜量測法
RO-ASRO，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
STAS 12258/6-1987光電半導(dǎo)體器件．紅外發(fā)射二極管術(shù)語和基本特性
STAS 12258/3-1985光電半導(dǎo)體器件．光電晶體管術(shù)語和基本特性
STAS 12258/7-1987光電半導(dǎo)體器件．光電池術(shù)語和基本特性
STAS 12258/2-1984光電半導(dǎo)體裝置．光電二極管術(shù)語和基本特性
STAS 12258/4-1986光電半導(dǎo)體設(shè)備．發(fā)光二極管術(shù)語和主要特性
STAS 12258/5-1986光電半導(dǎo)體．設(shè)備顯示．術(shù)語和基本特性
STAS 12258/1-1984光電半導(dǎo)體器件總體基本參數(shù)的總術(shù)語和命名
SR CEI 748-11-1-1992半導(dǎo)體設(shè)備．集成電路．第11部分：第1部分：除混合電路外的半導(dǎo)體集成電路的內(nèi)部視覺檢查
(美國)固態(tài)技術(shù)協(xié)會,隸屬EIA，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
JEDEC JESD22-B118-2011半導(dǎo)體晶圓和芯片背面外部外觀檢查
JEDEC JEP78-1969半導(dǎo)體紅外線探測儀的相對頻譜響應(yīng)曲線
HU-MSZT，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
MSZ 700/27.lap-1962意法半導(dǎo)體測試閃光定義
IET - Institution of Engineering and Technology，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
DISTRB FEEDB SEMI LAS-1998分布式反饋半導(dǎo)體激光器
PL-PKN，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
PN T01305-1992半導(dǎo)體器件．集成電路．除混合電路外的半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范
德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
DIN 41885:1976101型半導(dǎo)體器件外殼.主要尺寸
DIN 41877:1971半導(dǎo)體器件用6A3型外殼.主要尺寸
DIN 41888:1976.106和107型半導(dǎo)體器件的外殼.主要尺寸
DIN 41871:1971半導(dǎo)體器件用1A2和1A3型外殼.主要尺寸
DIN 41884:1971半導(dǎo)體器件用118 A 2型外殼.主要尺寸
DIN EN 60191-4:2003半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外殼形狀編碼系統(tǒng)和分類
DIN 41814-2:1976半導(dǎo)體器件外殼.第2部分:160 至 168 型外殼.主要尺寸
DIN EN 60191-6:2010-06半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則
DIN 50449-2:1998半導(dǎo)體工藝材料試驗.通過紅外線吸收測定半導(dǎo)體中雜質(zhì)含量.第2部分:砷化鎵中的硼
DIN EN 60191-6-8:2002-05半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6-8部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則
DIN EN 60191-6-2:2002-09半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6-2部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則
DIN EN 60191-6-6:2002-02半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6-6部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則
DIN EN 60191-6-3:2001-06半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6-3部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則
DIN EN 60191-6-1:2002-08半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6-1部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則
DIN EN 60191-6-5:2002-05半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6-5部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則
DIN IEC/TR 61292-9:2013光放大器.第9部分:半導(dǎo)體光放大器(SOAs)(IEC 86C/1109/CD-2013)
DIN 41867:1972半導(dǎo)體器件用的50 B3 and 50 B4型外殼.主要尺寸
DIN 41891:1971半導(dǎo)體器件用200 A 3和200 B 3型外殼.主要尺寸
DIN 50443-1:1988半導(dǎo)體工藝使用材料的檢驗.第1部分:用X射線外形測量法檢測半導(dǎo)體單晶硅中晶體缺陷和不均勻性
DIN 5032-9:2015-01光度測定 第9部分：非相干發(fā)射半導(dǎo)體光源的光度量的測量
DIN EN 60191-6-22:2013-08半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-22部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則 半導(dǎo)體封裝設(shè)計指南 硅細(xì)間距球柵陣列和硅
DIN EN 17178:2018液體石油產(chǎn)品 紫外熒光光譜法測定液化石油氣中總揮發(fā)性硫含量
DIN EN 17178:2019-12液體石油產(chǎn)品-紫外熒光光譜法測定液化石油氣中總揮發(fā)性硫含量
DIN EN 60191-6:2010半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第6部分:平面式安裝半導(dǎo)體器件外殼外形圖繪制的一般規(guī)則(IEC 60191-6-2009).德文版本EN 60191-6-2009
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-醫(yī)藥，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
YY 1289-2016激光治療設(shè)備眼科半導(dǎo)體激光光凝儀
YY 0845-2011激光治療設(shè)備.半導(dǎo)體激光光動力治療機
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-石油化工，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
SH/T 0409-1992液體石蠟中芳烴含量測定法（紫外分光光度法）
CZ-CSN，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
CSN 35 8761-1973半導(dǎo)體設(shè)備．光電晶體管光電二極管．光電流測量
CSN 35 8762-1973半導(dǎo)體設(shè)備．光電晶體管光電二極管．暗電流測量
工業(yè)和信息化部，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
SJ/T 2749-2016半導(dǎo)體激光二極管測試方法
SJ/T 11702-2018半導(dǎo)體集成電路 串行外設(shè)接口測試方法
SJ/T 2658.15-2016半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測量方法 第15部分：熱阻
SJ/T 2658.14-2016半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測量方法 第14部分：結(jié)溫
美國材料與試驗協(xié)會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
ASTM G177-03(2020)參考太陽紫外光譜分布標(biāo)準(zhǔn)表:37°；傾斜表面半球形
ASTM G177-03(2012)參考太陽紫外線光譜分布的標(biāo)準(zhǔn)表: 37度斜面上半球狀
ASTM G177-03太陽紫外線光譜分布參考標(biāo)準(zhǔn)表:37度傾斜表面上的半球形分布
ASTM G177-03e1太陽紫外線光譜分布參考標(biāo)準(zhǔn)表:37度傾斜表面上的半球形分布
ASTM G177-03(2008)e1太陽紫外線光譜分布參考標(biāo)準(zhǔn)表:37度傾斜表面上的半球形分布
ASTM F584-06半導(dǎo)體引線連接線的外觀檢查用標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)范
ASTM F584-06e1半導(dǎo)體引線連接線的外觀檢查用標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)范
歐洲標(biāo)準(zhǔn)化委員會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
CWA 17857:2022用于將光纖耦合到紅外半導(dǎo)體激光器的基于透鏡的適配器系統(tǒng)
EN ISO 24443:2021體外紫外線A輻射(UVA)光損傷防護防曬霜含量測定
EN ISO 24443:2012體外紫外線A輻射(UVA)光損傷防護防曬霜含量測定
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-郵電通信，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
YD/T 701-1993半導(dǎo)體激光二極管組件測試方法
YD/T 1687.1-2007光通信用高速半導(dǎo)體激光器組件技術(shù)條件 第1部分：2.5Gbit/s致冷型直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器組件
YD/T 1687.2-2007光通信用高速半導(dǎo)體激光器組件技術(shù)條件 第2部分：2.5Gbit/s無致冷型直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器組件
YD/T 2001.2-2011用于光纖系統(tǒng)的半導(dǎo)體光電子器件第2部分：測試方法
JP-JEITA，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
JEITA ED 7300A-2008半導(dǎo)體封裝外形圖制作標(biāo)準(zhǔn)推薦規(guī)程
丹麥標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
DS/EN ISO 11985:1998眼科光學(xué) 隱形眼鏡 暴露于紫外線和可見光輻射下的老化（體外方法）
DS/EN 60191-4/A2:2002半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分：半導(dǎo)體器件封裝封裝外形形式的編碼體系和分類
DS/EN 60191-4:2001半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分：半導(dǎo)體器件封裝封裝外形形式的編碼體系和分類
DS/EN 60191-4/A1:2002半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分：半導(dǎo)體器件封裝封裝外形形式的編碼體系和分類
DS/EN 60191-6:2010半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖制作的一般規(guī)則
DS/IEC 747-12:1993半導(dǎo)體裝置．第12部分：光電子設(shè)備分規(guī)范
DS/EN 60191-6-22:2013半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第 6-22 部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖準(zhǔn)備的一般規(guī)則 半導(dǎo)體封裝設(shè)計指南 Silicon Fine-pitch Ball Grid Array and Silico
DS/IEC 747-5:1986半導(dǎo)體器件.分立器件.第5部分:光電子器件
DS/EN 60747-5-5:2011半導(dǎo)體器件 分立器件 第 5-5 部分：光電器件 光電耦合器
DS/EN 60191-6-21:2010半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6-21部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖制作通用規(guī)則小外形封裝（SOP）封裝尺寸測量方法
IEC - International Electrotechnical Commission，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
IEC TR 61292-9:2017光放大器 第9部分：半導(dǎo)體光放大器（SOA）（2.0 版）
美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
ANSI/TIA/EIA 455-128-1996半導(dǎo)體激光器閾值電流的測定程序
歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
EN IEC 60747-5-5:2020半導(dǎo)體器件 第 5-5 部分：光電器件 光電耦合器
EN 62007-2:2009光纖系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電器件.第2部分:測量方法
EN 60191-6:2009半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖制作的一般規(guī)則
EN 60191-6-22:2013半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第 6-22 部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖準(zhǔn)備的一般規(guī)則 半導(dǎo)體封裝設(shè)計指南 Silicon Fine-pitch Ball Grid Array and Silico
ES-UNE，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
UNE-EN IEC 60747-5-5:2020半導(dǎo)體器件 第5-5部分：光電器件 光電耦合器
UNE-EN 60191-6:2009半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化--第6部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則
UNE-EN 60191-6-21:2010半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-21部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制通則 小外形封裝封裝尺寸測量方法
UNE-EN 60191-6-22:2013半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-22部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖編制的一般規(guī)則 半導(dǎo)體封裝設(shè)計指南 硅細(xì)間距球柵陣列和硅
UNE-EN 17178:2020液體石油產(chǎn)品 紫外熒光光譜法測定液化石油氣中總揮發(fā)性硫含量
UNE-EN 60747-5-5:2011/A1:2015半導(dǎo)體器件 分立器件 第5-5部分：光電器件 光電耦合器
UNE-EN 60747-5-5:2011半導(dǎo)體器件 分立器件 第5-5部分：光電器件 光電耦合器
國家藥監(jiān)局，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
YY/T 1751-2020激光治療設(shè)備 半導(dǎo)體激光鼻腔內(nèi)照射治療儀
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-農(nóng)業(yè)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
NY/T 1860.5-2016農(nóng)藥理化性質(zhì)測定試驗導(dǎo)則 第5部分：紫外/可見光吸收
NY/T 1860.5-2010農(nóng)藥理化性質(zhì)測定試驗導(dǎo)則.第5部分:紫外/可見光吸收
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
EN 60191-6:2004半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖制作通用規(guī)則
EN 62007-2:2000光纖系統(tǒng)用半導(dǎo)體光電器件.第2部分:測量方法
EN 60191-4:2014半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化.第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分和編號系統(tǒng)
SE-SIS，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
SIS SS CECC 20000-1983通用規(guī)范．半導(dǎo)體光電器件和液晶器件
GOSTR，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
GOST ISO 20846-2016液體石油產(chǎn)品 汽車燃料硫含量的測定 紫外熒光法
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
JIS R 1750:2012精細(xì)陶瓷.室內(nèi)光環(huán)境下測試半導(dǎo)體光催化材料用光源
美國電信工業(yè)協(xié)會，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
TIA-455-128-1996FOTP 128 半導(dǎo)體激光器閾值電流的測定程序
TIA-455-128-1996(2014)FOTP 128 半導(dǎo)體激光器閾值電流的測定程序
立陶宛標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
LST EN 60191-4+A1-2002半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分：半導(dǎo)體器件封裝封裝外形形式的編碼體系和分類（IEC 60191-4:1999+A1:2001）
LST EN 60191-4+A1-2002/A2-2002半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分：半導(dǎo)體器件封裝封裝外形編碼體系及形式分類（IEC 60191-4:1999/A2:2002）
LST EN 60191-6-2010半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖制作通用規(guī)則（IEC 60191-6:2009）
LST EN 60191-6-22-2013半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-22部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖準(zhǔn)備的一般規(guī)則 半導(dǎo)體封裝硅細(xì)間距球柵陣列和硅的設(shè)計指南
LST EN 60191-4-2014半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化. 第4部分: 半導(dǎo)體器件包封裝外形的編碼系統(tǒng)和分類形式(IEC 60191-4-2013)
未注明發(fā)布機構(gòu)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
BS EN ISO 11985:1998(2008)眼科光學(xué) — 隱形眼鏡 — 暴露于紫外線和可見輻射下的老化（體外方法）
河北省標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
DB13/T 5120-2019光通信用 FP、 DFB 半導(dǎo)體激光器芯片直流性能測試規(guī)范
電子與信息技術(shù)協(xié)會（US-GEIA改名為US-TECHAMERICA)，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
GEIA-4900-2001生產(chǎn)商規(guī)定溫度范圍以外的半導(dǎo)體器件的使用
GEIA SP4900-2002生產(chǎn)商規(guī)定溫度范圍以外的半導(dǎo)體器件的使用
SAE - SAE International，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
SAE EIA-4900-2016在制造商指定的溫度范圍之外使用半導(dǎo)體設(shè)備
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
PQC 8 ISSUE 1-1996半導(dǎo)體光電器件空白詳細(xì)規(guī)范：具有光電晶體管輸出評估級別類別 I II 或 III 的環(huán)境或外殼額定光電耦合器
PH-BPS，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
PNS ISO/TS 17466:2021紫外-可見吸收光譜在硫化鎘膠體量子點表征中的應(yīng)用
美國通用公司（北美），關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
GM GMP.E/P.030-1991聚烯烴合金 吹塑級，彎曲模量 85 MPa，整體著色，紫外光穩(wěn)定
AENOR，關(guān)于紫外光 半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)
UNE-EN 60191-6-10:2004半導(dǎo)體器件機械標(biāo)準(zhǔn)化第6-10部分：表面貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖制作通用規(guī)則P-VSON尺寸
檢測流程步驟
溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。
