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標準簡介：本標準規(guī)定了用電容位移傳感器測定硅拋光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蝕片也可參考此方法。本標準適用于測量標準直徑76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,電阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm 的硅拋光片的表面平整度和直觀描述硅片表面的輪廓形貌。
標準號：GB/T 6621-2009
標準名稱：硅片表面平整度測試方法
英文名稱：Testing methods for surface flatness of silicon slices
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
標準狀態(tài)：現行
發(fā)布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料
替代以下標準：替代GB/T 6621-1995
起草單位：上海合晶硅材料有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發(fā)布單位：國家質量監(jiān)督檢驗檢疫.
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